提升 DKDP晶体的激光预处理技术

成果简介

揭示了70% DKDP 晶体三倍频激光损伤的非线性吸收主导机制，确立调控非线性吸收的方法，奠定了亚纳秒激光预
处理技术提升阈值的关键技术方案；成功研制国内首台亚纳秒激光预处理系统，针对中小口径（≤ 200 mm）DKDP 晶体
预处理技术获得突破，针对现有晶体基本实现工艺定型，形成全套工艺文件，工艺可复制、可转移。

技术特点/ 优势

发展热效应补偿与抑制技术，解决高功率泵浦条件下热退偏和热致波前畸变问题；发展时空精密整形与调控技术提
升脉冲时空填充因子，解决高功率谐波转换效率与稳定性问题，获得时间波形可编辑、脉宽300~800 ps 可调、高稳定度
（0.8%RMS）三倍频输出，整体亚纳秒激光预处理系统运行稳定，不但满足了现阶段430 mm 口径DKDP 晶体的工艺研
究需求，也为今后批量供货的自主可控设备配套奠定了技术基础。
在亚纳秒激光预处理工艺研究方面，利用国内相关晶体研制单位生长的中小口径（≤ 200 mm）DKDP 晶体开展了系
统性的亚纳秒激光预处理工艺研究，利用脉冲时间尺度调控晶体非线性吸收响应，优化确定工艺参数和工艺流程，中小
口径（≤ 200 mm）DKDP 晶体样品的抗激光损伤能力最大可提升1 倍，首次获得大于21.6 J/cm2(3 ω，3 ns) 国内最好
结果。

性能指标

脉宽300~800 ps 可调；
高稳定度（0.8%RMS）三倍频输出；
抗激光损伤能力大于21.6 J/cm2(3 ω，3 ns)。

应用场景

高功率激光装置。